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　　继三星电子之后，海力士半导体将量产30纳米级（nm.10亿分之1米）DRAM存储芯片，成为世界第二家掌握30纳米级DRAM工艺的企业。这样，占据全球DRAM存储芯片市场60%份额的韩国企业和日本、美国、台湾等其他半导体厂商间的差距将进一步拉大。

　　海力士半导体29日宣布：“已完成30纳米级DRAM存储芯片工艺的开发，明年第一季度将进入量产。海力士拥有了业内最高水准的技术和价格竞争力，会进一步拉大与后发企业间的差距。”

　　芯片工艺越微细，生产效率越会提高，而芯片的耗电量越会下降。30纳米级工艺意味着芯片线路的宽度只有成人头发粗细的4000分之一。按过去40纳米级工艺，300毫米晶圆能切出100个芯片，但是30纳米级工艺能切割160个芯片。

　　三星电子去年7月成功量产30纳米级DRAM并启动了生产线，日本Elpida公司和美国镁光公司、台湾企业等目前仍以50-60纳米级工艺为主。

　　海力士研发制造技术总监（CTO）Park Seong-uk副总裁说：“将持续扩大高容量、高性能、低电耗产品的比重。”